Номер части:
Журнал
ISSN: 2411-6467 (Print)
ISSN: 2413-9335 (Online)
Статьи, опубликованные в журнале, представляется читателям на условиях свободной лицензии CC BY-ND

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПАРАЗИТНЫХ ТУННЕЛЬНЫХ ТОКОВ В ЭЛЕМЕНТАХ ФЛЕШ-ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ КОРОТКОКАНАЛЬНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ (26-28)



Науки и перечень статей вошедших в журнал:
DOI: 10.31618/ESU.2413-9335.2020.2.76.901
Дата публикации статьи в журнале: 2020/08/20
Название журнала: Евразийский Союз Ученых, Выпуск: 76, Том: 2, Страницы в выпуске: 26-28
Автор: Жевняк Олег Григорьевич
Минск, Белорусский государственный университет,
Автор:
, ,
Автор:
, ,
Анотация: Моделирование паразитных туннельных токов в элементах флеш-памяти на основе короткоканальных МОП-транзисторов. В настоящей работе c помощью численного моделирования методом Монте-Карло электронного переноса в короткоканальных МОП-транзисторах с плавающим затвором рассчитаны распределения величины паразитного туннельного тока и средних значений энергии и подвижности электронов вдоль проводящего канала этих транзисторов. Проанализировано влияние стокового напряжения в элементах флеш-памяти при считывании информации в них на данные распределения. Показано, что в целом для рабочих режимов величина паразитных токов в рассмотренных элементах флеш-памяти очень мала. Однако при длительном хранении она может привести к изменению хранящегося на плавающем затворе заряда.
Ключевые слова: флеш-память   короткоканальный МОП-транзистор   туннелирование электронов   дрейф электронов   метод Монте-Карло                 
Данные для цитирования: Жевняк Олег Григорьевич . МОДЕЛИРОВАНИЕ ПАРАЗИТНЫХ ТУННЕЛЬНЫХ ТОКОВ В ЭЛЕМЕНТАХ ФЛЕШ-ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ КОРОТКОКАНАЛЬНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ (26-28) // Евразийский Союз Ученых. Физико-математические науки. 2020/08/20; 76(2):26-28. 10.31618/ESU.2413-9335.2020.2.76.901

Список литературы: 1. Gerardi C., Ancarani V., Portoghese R. et al. Nanocrystal Memory Cell Integration in a Stand-Alone 16-Mb NOR Flash Device // IEEE Trans. Electron Devices. 2007. Vol. 54, No 6. P. 1376–1383. 2. Govoreanu D., Wellekens D., Haspeslagh L. et al. Performance and Reliability of HfAlOx-based Interpolary Dielectrics for Floating-Gate Flash Memory // Solid-State Electron. 2008. Vol. 52, Iss. 4. P. 557–563. 3. Борздов В.М., Жевняк О.Г., Комаров Ф.Ф., Галенчик В.О. Моделирование методом Монте-Карло приборных структур интегральной электроники. Минск: БГУ; 2007. [Borzdov V. M., Zhevnyak O. G., Komarov F. F., Galenchik V.O. Monta Carlo simulation of device structures of integral electronics. Minsk: BSU; 2007. (In Russ).] 4. Zhevnyak O. Temperature effect on electron transport in conventional short channel MOSFETs: Monte Carlo simulation // Proc. SPIE. 2008. Vol. 7025. P. 1M-1–8. 5. Жевняк О. Г. Моделирование туннельного тока в элементах флеш-памяти // Международный научно-исследовательский журнал. 2015. Вып. 9., Ч. 3. С. 49–53. [ Zhevnyak Ol. Simulation of tunnel current in Flash-memory cells. International Research Journal. 2015; (9, 3):49-53. (In Russ).]


Записи созданы 442

Похожие записи

Начните вводить, то что вы ищите выше и нажмите кнопку Enter для поиска. Нажмите кнопку ESC для отмены.

Вернуться наверх