МОДЕЛИРОВАНИЕ ПАРАЗИТНЫХ ТУННЕЛЬНЫХ ТОКОВ В ЭЛЕМЕНТАХ ФЛЕШ-ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ КОРОТКОКАНАЛЬНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ (26-28)

DOI: 10.31618/ESU.2413-9335.2020.2.76.901

Дата публикации статьи в журнале: 2020/08/20

Название журнала: Евразийский Союз Ученых — публикация научных статей в ежемесячном научном журнале, Выпуск: 76, Том: 2, Страницы в выпуске: 26-28

Автор: Жевняк Олег Григорьевич
, Белорусский государственный университет, Минск

Анотация: Моделирование паразитных туннельных токов в элементах флеш-памяти на основе короткоканальных МОП-транзисторов. В настоящей работе c помощью численного моделирования методом Монте-Карло электронного переноса в короткоканальных МОП-транзисторах с плавающим затвором рассчитаны распределения величины паразитного туннельного тока и средних значений энергии и подвижности электронов вдоль проводящего канала этих транзисторов. Проанализировано влияние стокового напряжения в элементах флеш-памяти при считывании информации в них на данные распределения. Показано, что в целом для рабочих режимов величина паразитных токов в рассмотренных элементах флеш-памяти очень мала. Однако при длительном хранении она может привести к изменению хранящегося на плавающем затворе заряда.

Ключевые слова: флеш-память, короткоканальный МОП-транзистор,туннелирование электронов,дрейф электронов,метод Монте-Карло,

Данные для цитирования: Жевняк Олег Григорьевич . МОДЕЛИРОВАНИЕ ПАРАЗИТНЫХ ТУННЕЛЬНЫХ ТОКОВ В ЭЛЕМЕНТАХ ФЛЕШ-ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ КОРОТКОКАНАЛЬНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ (26-28) // Евразийский Союз Ученых — публикация научных статей в ежемесячном научном журнале. Физико-математические науки. 2020/08/20; 76(2):26-28. 10.31618/ESU.2413-9335.2020.2.76.901

Скачать в формате PDF

Список литературы: 1. Gerardi C., Ancarani V., Portoghese R. et al. Nanocrystal Memory Cell Integration in a Stand-Alone 16-Mb NOR Flash Device // IEEE Trans. Electron Devices. 2007. Vol. 54, No 6. P. 1376–1383. 2. Govoreanu D., Wellekens D., Haspeslagh L. et al. Performance and Reliability of HfAlOx-based Interpolary Dielectrics for Floating-Gate Flash Memory // Solid-State Electron. 2008. Vol. 52, Iss. 4. P. 557–563. 3. Борздов В.М., Жевняк О.Г., Комаров Ф.Ф., Галенчик В.О. Моделирование методом Монте-Карло приборных структур интегральной электроники. Минск: БГУ; 2007. [Borzdov V. M., Zhevnyak O. G., Komarov F. F., Galenchik V.O. Monta Carlo simulation of device structures of integral electronics. Minsk: BSU; 2007. (In Russ).] 4. Zhevnyak O. Temperature effect on electron transport in conventional short channel MOSFETs: Monte Carlo simulation // Proc. SPIE. 2008. Vol. 7025. P. 1M-1–8. 5. Жевняк О. Г. Моделирование туннельного тока в элементах флеш-памяти // Международный научно-исследовательский журнал. 2015. Вып. 9., Ч. 3. С. 49–53. [ Zhevnyak Ol. Simulation of tunnel current in Flash-memory cells. International Research Journal. 2015; (9, 3):49-53. (In Russ).]