Номер части:
Журнал
ISSN: 2411-6467 (Print)
ISSN: 2413-9335 (Online)
Статьи, опубликованные в журнале, представляется читателям на условиях свободной лицензии CC BY-ND

ТУННЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ МЕТАЛЛА КАК ХАРАКТЕРИСТИТКА ЕГО КОРРОЗИОННОЙ СТОЙКОСТИ



Науки и перечень статей вошедших в журнал:
DOI:
Дата публикации статьи в журнале:
Название журнала: Евразийский Союз Ученых — публикация научных статей в ежемесячном научном журнале, Выпуск: , Том: , Страницы в выпуске: -
Данные для цитирования: . ТУННЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ МЕТАЛЛА КАК ХАРАКТЕРИСТИТКА ЕГО КОРРОЗИОННОЙ СТОЙКОСТИ // Евразийский Союз Ученых — публикация научных статей в ежемесячном научном журнале. Химические науки. ; ():-.

Высоколегированные сплавы на основе железа (таблица 1) являются поликристаллическими конструкционными материалами, неизбежно имеющими такие дефекты структуры как границы зерен, дислокации, вакансии. Кроме того, в их структуре присутствуют избыточные фазы и неметаллические включения, отличающиеся от основного металла коррозионно-электрохимическими характеристиками и механическими свойствами и имеющими с ним границы, часто обедненные одним из основных легирующих элементов. С очевидностью многофазность и дефектность кристаллической структуры исследованных конструкционных материалов должна приводить к локальным искажениям электронной структуры, в том числе и в приповерхностных слоях металла. Это, в свою очередь, должно оказывать влияние на процессы межфазного переноса заряда, в том числе — процессы окисления металла, то есть на процесс коррозии.

В процессе коррозии при анодном окислении металла, протекающем по реакции:

Me → Men+ + ne,                                                              (1)

ион Men+  покидает металлическую фазу и либо в той или иной форме (например, в виде адсорбционного комплекса (MeOH)ads) остается на поверхности, либо переходит в контактирующий с металлом раствор. Электроны, покидающие поверхность металла, участвуют в катодном процессе восстановления присутствующего в растворе электролита деполяризатора, протекающем в кислых средах по реакции:

       nH+ + ne→ nHads,                                                                    (2)

Основным принципом туннельной микроскопии как метода исследования поверхности проводящих тел является туннельный перенос электронов при сближении двух проводников, одним из которых является исследуемый металл, вторым — металл иглы туннельного микроскопа (электронный зонд). Указанные проводники разделены диэлектриком (в простейшем случае — воздухом), толщина которого достаточна для протекания электрического тока, когда часть электронов проходит сквозь потенциальный барьер.

Таким образом, коррозионный процесс имеет определенное сходство с процессами, протекающими при проведении исследований методами туннельной микро- или спектроскопии.

Таблица 1

Химический состав исследованных материалов

№ п/п

Содержание химического элемента, масс.%

Fe Cr Ni Mo Mn S
1 86,28 12,22 0,32 0,26 0,15
2 68,91 16,95 9,75 1,85 2,00 н/о*
3 48,53 21,25 23,86 5,33 н/о* н/о*
4 4,20 23,06 65,43 5,77 н/о* н/о*

Принцип действия и конструкция сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) подробно описаны в [1, с.24-33; 2, с.818-833; 3, с.323; 4,с.1385-1394; 5, с.51-76, 6, с.805-813; 7, с.2602-2605]. В конструкцию СТМ входят зонд, пьезоэлектрические двигатели для перемещения зонда, электронная цепь обратной связи и компьютер для управления процессом сканирования, получения и обработки изображений. Предельное пространственное разрешение СТМ определяется  радиусом закругления острия иглы, которое может достигать долей нанометра и в идеале быть равно радиусу оконечного атома. Сенсоры с высоким пространственным разрешением позволяют измерять расстояния на поверхности с точностью 0,01 нм. Для исследованных сплавов физический смысл имеет разрешение ~ 0,25 нм, что равно диаметру атома железа.

Метод сканирующей туннельной спектроскопии (СТС) основан на непрерывном измерении туннельного напряжения (Ut) или туннельного расстояния (Z) и одновременной регистрации  туннельного тока между концевым атомом острия иглы и ближайшим атомом поверхности [8, с.283-291]. В методе СТС получают спектральные зависимости туннельного тока от туннельного напряжения It(Ut) – туннельные спектры «по напряжению» или It(δZ) – туннельные спектры «по расстоянию». Эти зависимости можно получить в усредненном виде как для всей исследуемой поверхности, так и для наноразмерных участков поверхности, в том числе — для отдельных атомов.

При проведении СТМ и СТС исследований в зависимости от знака напряжения между зондом и исследуемым металлом происходит туннельный перенос электронов либо с зонда в металл либо из металла в зонд. Первый процесс имеет некоторое сходство с катодным восстановлением деполяризатора (2), а второй – с анодным окислением металла (1).  Различия между электрохимическим и туннельным переносом заряда заключаются в том, что в электрохимических реакциях участвуют частицы, энергия которых равна или выше высоты потенциального барьера. Это выражается в экспоненциальной форме зависимости скорости одностадийной электрохимической реакции (или одной из стадий многостадийной реакции) iel от электродного потенциала E,

iel = nFkcexp(αelnFE/RT)                                                                     (3),

n – количество электронов, принимающих участие в стадии реакции, αel –коэффициент переноса реакции, c – концентрация частиц, принимающих участие в реакции, F – константа Фарадея, R – универсальная газовая постоянная, T – температура.

В туннельном переносе заряда участвуют частицы, энергия которых ниже высоты потенциального барьера.  Интерпретация формы зависимости туннельного тока от туннельного напряжения неоднозначна.

  В [9, с.265-275; 10, с.15-25] сделано допущение, что СТМ регистрирует разность двух туннельных токов от электронов, перескакивающих на иглу (положительная составляющая туннельного тока) и с иглы на образец (отрицательная составляющая туннельного тока). При Ut = 0 эти токи равны и регистрируемый ток It = 0, хотя ток в обоих направлениях отличен от нуля. По аналогии с электрохимическими реакциями ток при нулевом туннельном напряжении был назван туннельным током обмена (Ioo).

Описанный процесс регистрации туннельных токов фактически аналогично принципу регистрации токов, протекающих в электрохимических процессах, потенциостатом. Прибор регистрирует суммарный ток всех анодных и катодных процессов, одновременно протекающих на поверхности металла. Вблизи потенциала свободной коррозии (компромиссного потенциала в многоэлектродной системе) суммарная скорость всех процессов окисления (анодных процессов) равна суммарной скорости процессов потребления высвободившихся в анодной реакции электронов (катодных процессов), а общий регистрируемый прибором ток равен нулю.

Экспоненциальная зависимость (4), адекватно описывает экспериментально полученные зависимости  туннельного тока от туннельного напряжения.

It = Ioo{exp(αCUt) – exp[–(1 – α)CUt]}                                                               (4)

α – безразмерный коэффициент; С – коэффициент, имеющий размерность В-1. Коэффициент α характеризует преобладающую вероятность переноса электрона на иглу. Параметр  α может измеряться от 0 до 1.

В [9, с.265-275] обоснована правомерность использования СТМ для идентификации на атомном уровне участков, на которых, по сравнению с остальной поверхностью металла, облегчено протекание электрохимических реакций – электрохимически активных центров. Поскольку скорость переноса заряда определяется высотой и шириной энергетического барьера, как электрохимический, так и туннельный токи должны оказаться тем больше, чем уже или ниже барьер. В работах [10, с.15-25] с использованием СТМ как на воздухе, так и при контакте исследуемого металла с раствором электролита в условиях контроля электродного потенциала обнаружено присутствие на поверхности наноразмерных участков с аномальной туннельной активностью. 

Для углеродистых сталей получена корреляция коррозионно-электрохимических характеристик и туннельных наносвойств поверхности [11, с.62-71], что позволяет идентифицировать наноразмерные участки с аномальной туннельной активностью как электрохимически активные центры. Подобные результаты получены и для высоколегированных сплавов на основе железа.

Список литературы:

  1. Дыхне А.М., Петрий О.А, Цирлина Г.А. /Наноэлектрохимия и нанотехнология // Рос. хим. журн. (Журнал Рос. хим. о-ва им. Д.И. Менделеева), 1994, Т. 38, № 6, С. 24-33.
  2. Данилов А.И. /Сканирующая туннельная и атомно-силовая микроскопия в электрохимии поверхности // Успехи химии, 1995, Т. 64, №8, С. 818-833.
  3. Magonov S.N., Whangbo M.-H. /Surface analysis with STM and AFM: experimental and theoretical aspects of image analysis. – Weinheim; New York; Base1; Cambridge; Tokyo: VCH, 1996, 323 p.
  4. Halbritter J., Repphun G., Vlnzelberg S., Staikov G., Lorenz W.J. /Tunneling mechanisms in electrochemical STM – distance and voltage tunneling spectroscopy // Electrochimica Acta, 1995, V. 40, No. 10, P. 1385-1394.
  5. Noguera C. /Scanning Tunneling Microscopy III // Springer Series in Surface Sciences, 1993, V. 29, P. 51-76.
  6. Tersoff J., Hamann D.R. /Theory of the scanning tunneling microscope. // Phys. Rev. B, 1985, V. 31, No. 2, P. 805-813.
  7. Selloni A., Carnevali P., Chen C. D. /Voltage-dependent scanning-tunneling microscopy of a crystal surface: Graphite // Phys. Rev. B, 1985, V. 31, No. 4, P. 2602-2605.
  8. Стрючкова Ю.М., Касаткин Э.В. /Исследование наноструктуры и по-верхностных энергетических свойств сплавов Fe-20%Cr-40%Ni и Fe-20%Cr-70%Ni методами in situ ЭСТМ и ЭСТС // Физикохимия поверхности и защита материалов, 2010, Т. 46, №3, 283-291.
  9. Касаткин Э.В. Резник М.Ф., Небурчилова Е.Б./ Определение локальной туннельной проводимости и активности поверхности методом сканирующей туннельной спектроскопии// Электрохимия. 2003. Т. 39. С. 265-275
  10. Касаткин Э.В. / Использование электрохимического сканирующего туннельного микроскопа для исследования поверхностей металлов и выявления природы и количества активных центров // Электрохимия. 2005. Т. 41. С. 15-25.
  11. Подобаев А.Н., Реформатская И.И., Артамонов О.Ю., Шишлов Д.С., Ащеулова И. И., Чибышева В.Д., Кутузов А.В., Афонькин А.Е. / Связь склонности углеродистых и низколегированных сталей к локальной коррозии с туннельными свойствами поверхности металла // Практика противокоррозион­ной защиты. 2014. № 1 (71). С. 62-71.[schema type=»book» name=»ТУННЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ МЕТАЛЛА КАК ХАРАКТЕРИСТИТКА ЕГО КОРРОЗИОННОЙ СТОЙКОСТИ» author=»Чибышева Виктория Дмитриевна, Реформатская Ирина Игоревна, Подобаев Александр Николаевич, Константинов Андрей Геннадиевич» publisher=»БАСАРАНОВИЧ ЕКАТЕРИНА» pubdate=»2017-06-20″ edition=»ЕВРАЗИЙСКИЙ СОЮЗ УЧЕНЫХ_ 30.12.2014_12(09)» ebook=»yes» ]
Список литературы:


Записи созданы 9819

Похожие записи

Начните вводить, то что вы ищите выше и нажмите кнопку Enter для поиска. Нажмите кнопку ESC для отмены.

Вернуться наверх
https://www.apscuf.org/slot-gacor/slot gacorslot onlineslot gacorslot gacorslot gacorslot gacorslot gacorhttps://bxartsfactory.org/slot-gacor-maxwin/https://www.splayce.eu/slot-pulsa/https://esign.bogorkab.go.id/vendor/bin/https://snip.eng.unila.ac.id/wp-content/uploads/slot-gacor/http://desa-bolali.klatenkab.go.id/files/slot-gacor/https://www.jurnal.stimsurakarta.ac.id/public/journals/https://kobar.umkm.kalteng.go.id/files/slot-gacor/https://www.uniqhba.ac.id/assets/slot-gacor/https://www.staipibdg.ac.id/-/slot-online-gacor/https://disdagperin.bekasikota.go.id/slot-gacor/https://journal.widyatama.ac.id/slot-gacor/https://stis.ac.id/slot-gacor/https://gradosyposgrados.ucjc.edu/https://ejurnal.iainlhokseumawe.ac.id/public/slot-deposit-pulsa/ https://www.mope.gm/slot88/https://www.vantru.is/slot88/https://vipnumberbuy.com/slot-deposit-pulsa/https://bio-med.euroasia-science.ru/slot-deposit-dana/https://fastgoal.com/forum/-/slot-gacor/https://www.gamisaulia.com/slot-gacor/https://persianfootball.com/news/wp-content/uploads/2013/01/slot-gacor/https://radiochicha.perugamingshow.com/https://empleabilidad.uigv.edu.pe/slot-gacor/https://civil.annauniv.edu/slot-gacor/https://majubersamagroup.com/slot-gacor/https://fais.psu.ac.th/slot88/https://www.gardencity.university/slot-gacor/http://admission.mnsuam.edu.pk/slot-gacor/https://www.yckmc.edu.hk/slot-gacor/https://www.revistaamexco.com.mx/files/journals/1/articles/51/62c7819f6a734.htmlhttps://www.edithumbs.com/wp-content/uploads/2020/01/slot-gacor-deposit-dana/https://regencyinstitutions.com/uploads/https://beritarajaku.com/http://arc.salleurl.edu/develop/slot-deposit-pulsa/https://www.ducayne100.org/slot-gacor/https://parasolprojects.com/slot-gacor/https://www.kotabaruparahyangan.com/slot-gacor/http://discamino.org/slot-gacor/https://cmc.edu.vn/slot-gacor/https://www.kpsg-solutions.pt/slot-deposit-dana/https://katingankab.go.id/slot-online/http://sintang.go.id/slot-gacor/https://text.co.id/slot-gacor/https://www.stimsurakarta.ac.id/slot-gacor/http://www.loasis-traiteur.com/fileman/https://sipil.ft.unesa.ac.id/slot-gacor/https://kemahasiswaan.unesa.ac.id/slot-gacor/https://empleabilidad.uigv.edu.pe/slot-gacor/https://surjyotsna.org/slot88/https://unitedtowel.com/slot-deposit-pulsa/http://gpm.fe.unesa.ac.id/slot88/https://eapi.sabayon.org/https://www.zeleka.com/slot-gacor/https://nclthailand.com/slot88/https://ft.unesa.ac.id/slot-gacor/https://bot.unesa.ac.id/slot-deposit-pulsa/https://optical.botsolutions.org/slot-gacor/https://www.test-car.pt/slot-gacor/https://ejurnal.methodist.ac.id/files/slot-online/https://jurnal.kwikkiangie.ac.id/files/slot-gacor/https://www.amikmbp.ac.id/slot88/https://ifris.org/slot-gacor/https://biomedicineonline.org/slot-gacor/http://e-journal.sastra-unes.com/slot-gacor/https://www.rtpslotgacor.cc/https://www.fundacionclavel.org/situs-slot-gacor/https://www.fundacionclavel.org/slot88/https://ksrce.ac.in/gacor88/https://sushizobangkok.com/slot88/http://huaplachongnonsea.com/slot-gacor/https://enfermeriadermatologica.org/slot-gacor/http://www.rpchospital.com/slot-gacor/https://www.feiradossofas.pt/slot-gacor/https://sites.google.com/view/slot-gacor-terbaru-hari-ini/https://www.viagsite.com/https://bio-med.euroasia-science.ru/slot-deposit-dana/https://165.22.244.0/https://www.rtppastigacor88.com/http://enfermeriadermatologica.org/slot777/https://slot88.ice.edu.pt/https://belodent.org/-/slot-pulsa/https://history.soc.ku.ac.th/uploads/slot-gacor/https://www.kemasaja.com/slot-gacor/http://www.maktour.co.id/slot-gacor/https://seamolec.org/files/slot-gacor/https://sbyads.ru/slot88/http://www.woconf.com/slot-gacor/https://omnipacgroup.com/slot-gacor/https://icdemolicensewebapi.honeywell.com/https://www.fundacionclavel.org/slot-gacor/ gacor 88https://sshj.in/public/slot-deposit-dana/https://mbmscience.com/public/slot88/https://ijohmn.com/public/slot-gacor/https://www.kuhoo.com/wp-content/uploads/slot-deposit-dana/https://zombiigrice.com/slot-gacor/https://nje.org.na/slot-deposit-dana/https://journals.tma.uz/slot-gacor/https://muru.com.co/slot-deposit-pulsa/https://coresdaterra.com.br/slot-gacor/https://sasurie.com/slot-gacor/https://thejrns.org/slot-gacor/https://mccm.ptcer.pl/slot-demo/https://academconsult.ru/slot-gacor/https://www.doutoresdoexcel.com.br/-/slot-gacor/https://peshawarhighcourt.gov.pk/slot-gacor/http://a0729171.xsph.ru/http://clc.cet.edu/judi-bola/https://www.ijmaberjournal.org/slot-gacor/https://ijorces.org/slot-gacor/https://virtusclean.com/slot-online/https://modernacademy-journal.synceg.net/slot-gacor/https://artescienza.org/wp-content/uploads/slot-gacor/https://journal.icter.org/public/slot-gacor/https://rumosdainformacao.ivc.br/5unsur3/https://dailyexpresstop.com/https://livepublicnews.com/https://cosy.univrab.ac.id/slot-online/https://www.unaki.ac.id/togel88/https://staialakbarsurabaya.ac.id/slot-online/https://iat.alfithrah.ac.id/slot-gacor/https://krti.unesa.ac.id/slot-deposit-pulsa/http://jurnal.umsu.ac.id/public/http://jurnal.univrab.ac.id/slot-gacor/