МОДЕЛИРОВАНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР GAP/SI И ALXGA1-XAS/SI (62-67)

DOI:

Дата публикации статьи в журнале: 2020/07/21

Название журнала: Евразийский Союз Ученых — публикация научных статей в ежемесячном научном журнале, Выпуск: 75, Том: 2, Страницы в выпуске: 62-67

Автор: Солдатов В.В.
студентка, СКФУ, Ставрополь

Анотация: В данной работе были исследованы свойства фотоэлектрических преобразователей на основе наногетероструктур GaP/S. Установлено, что на границе раздела p-GaP/n-Si из-за существенного разрыва валентных зон формируется потенциальный барьер, высота которого фактически равна разрыву зон (0,859 эВ). Из-за ограничения транспорта дырок фотоэлектрические преобразователи на основе p-GaP/n-Si имеют понижение значения тока короткого замыкания, и как следствие, имеет малую эффективность. Для фотоэлектрических преобразователей на основе n-GaP/p-Si эффективность достигает значения 19%, что также является свидетельством отсутствия ограничения транспорта носителей заряда. На основе моделирования сделать вывод, что только наногетероструктуры n-GaP/p-Si пригодны для формирования фотоэлектрических преобразователей.

Ключевые слова: Наногетероструктуры, фотоэлектрические преобразователи,моделирование,AFORS-HET,

Данные для цитирования: Солдатов В.В. . МОДЕЛИРОВАНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР GAP/SI И ALXGA1-XAS/SI (62-67) // Евразийский Союз Ученых — публикация научных статей в ежемесячном научном журнале. Физико-математические науки. 2020/07/21; 75(2):62-67.

Скачать в формате PDF

Список литературы: 1.Кудряшов, Д.А. Разработка конструкции многопереходных солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/Si методом компьютерного моделирования / Д.А. Кудряшов, А.С. Гудовских, Е.В. Никитина, А.Ю. Егоров // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48. Вып. 3. - С. 396 -401. 2.Alferov, Zh.I. III-V heterostructures in photovoltaics in Concentrator Photovoltaics / Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, V.D. Rumyantsev // Springer Series in Optical Sciences. – 2007. – № 130, P. 25–50. 3.Середин, П. В. Основные проблемы формирования нано- и гетероструктур на основе кремния и полупроводников A3B5 для современной оптоэлектроники / П.В. Середин, А.С. Леньшин // Молодой ученый. - 2013. - №11. - С. 28-31. 4. Крупнейшая солнечная электростанция в РФ вышла на полную мощность на Ставрополье – Экономика и бизнес – ТАСС – URL: https://tass.ru/ekonomika/8134809 (дата обращения: 15.06.2020). 5.Алфёров, Ж.И. Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики / Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38, вып. 8. С. 937–948.