Проблемы высокоэффективной энергетики имеют в России не просто исключительное, но скорее принципиальное значение. Для решения этого комплекса задач необходима, прежде всего, высокоэффективная электронная компонентная база (ЭКБ). К сожалению, развитие электронной компонентной базы современной силовой электроники и преобразовательной техники на сегодняшний день недостаточно. Решение этой задачи вполне возможно с помощью высоких технологий, и в данном случае – через эффективную компонентную базу, основу которой составляет ЭКБ на широкозонных полупроводниках.
Одно из направлений развития ЭКБ силовой электроники — высоковольтные быстродействующие переключающие диоды на основе многослойных GaAs эпитаксиальных p—i—n ‒ структурах, изготовленных комбинацией процессов жидкофазной (ЖФЭ) и газофазной (ГФЭ) эпитаксий [1, с. 36-47]. Достоинства GaAs p—i—n – диодов [2, с. 203-229] можно кратко перечислить: высокая скорость переключения; высокая рабочая температура; высокая радиационная стойкость; минимизированная емкость; малый заряд обратного восстановления; высокие частоты коммутации; высокая динамическая устойчивость; слабая зависимость заряда восстановления, времени обратного восстановления и обратного тока восстановления от температуры.
Как за рубежом, так и на ряде Российских предприятий имеется технология производства многослойных эпитаксиальных GaAs – структур. Разработка p—i—n – диодов на основе таких структур, идентификация их важнейших параметров с целью определения диапазона применения таких диодов в электронной технике является не просто актуальной, ни и перспективной задачей [3, c. 21-39].
Время обратного восстановления
Таблица 1
| Номер
диода |
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |
| tRR, нс | 80 | 60 | 50 | 50 | 50 | 60 | 50 | 40 | 50 | 40 |
| Номер
диода |
11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | Ср. |
| tRR, нс | 50 | 40 | 60 | 60 | 50 | 50 | 50 | 80 | 50 | 70 | 54,5 |
Список литературы:
- Арсенид галлия. Получение, свойства, применение / Под ред. Ф. П. Кесаманлы, Д. Н. Наследова. – М.: Наука, 1973. С. 36-47.
- B. Jayant Baliga Fundamental of Power Semiconductor Devices / Springer Science, 2008.
- Fabrication of GaAs Devices / Albert G. Baca and Carol I. H. Ashby / The Institution of Electrical Engineers. First edition, 2005.
- Герлах В. Тиристоры: Пер. с нем. / Герлах В. — М.: Энергоатомиздат, 1985. — 328 с. : ил. С. 82-88.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1. Пер. с англ. / Зи С. — 2-е перераб. и доп. изд. – М.: Мир, 1984. – 456 с.: ил.[schema type=»book» name=»БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ GAAS ДИОДЫ ДЛЯ ИМПУЛЬСНОЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ТЕХНИКИ» author=»Сурайкин Александр Иванович» publisher=»БАСАРАНОВИЧ ЕКАТЕРИНА» pubdate=»2017-06-19″ edition=»ЕВРАЗИЙСКИЙ СОЮЗ УЧЕНЫХ_ 30.12.2014_12(09)» ebook=»yes» ]