30 Дек

БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ GAAS ДИОДЫ ДЛЯ ИМПУЛЬСНОЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ТЕХНИКИ




Номер части:
Оглавление
Содержание
Журнал
Выходные данные


Науки и перечень статей вошедших в журнал:

Проблемы высокоэффективной энергетики имеют в России не просто исключительное, но скорее принципиальное значение. Для решения этого комплекса задач необходима, прежде всего, высокоэффективная электронная компонентная база (ЭКБ). К сожалению, развитие электронной компонентной базы современной силовой электроники и преобразовательной техники на сегодняшний день недостаточно. Решение этой задачи вполне возможно с помощью высоких технологий, и в данном случае – через эффективную компонентную базу, основу которой составляет ЭКБ на широкозонных полупроводниках.

Одно из направлений развития ЭКБ силовой электроники — высоковольтные быстродействующие переключающие диоды на основе многослойных GaAs эпитаксиальных pin ‒ структурах, изготовленных комбинацией процессов жидкофазной (ЖФЭ) и газофазной (ГФЭ) эпитаксий [1, с. 36-47]. Достоинства GaAs pin – диодов [2, с. 203-229] можно кратко перечислить: высокая скорость переключения; высокая рабочая температура; высокая радиационная стойкость; минимизированная емкость; малый заряд обратного восстановления; высокие частоты коммутации; высокая динамическая устойчивость; слабая зависимость заряда восстановления, времени обратного восстановления и обратного тока восстановления от температуры.

Как за рубежом, так и на ряде Российских предприятий имеется технология производства многослойных эпитаксиальных GaAs – структур. Разработка pin – диодов на основе таких структур, идентификация их важнейших параметров с целью определения диапазона применения таких диодов в электронной технике является не просто актуальной, ни и перспективной задачей [3, c. 21-39].

Время обратного восстановления                 

Таблица 1

Номер

диода

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
tRR, нс 80 60 50 50 50 60 50 40 50 40
Номер

диода

11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 Ср.
tRR, нс 50 40 60 60 50 50 50 80 50 70 54,5

Список литературы:

  1. Арсенид галлия. Получение, свойства, применение / Под ред. Ф. П. Кесаманлы, Д. Н. Наследова. – М.: Наука, 1973. С. 36-47.
  2. B. Jayant Baliga Fundamental of Power Semiconductor Devices / Springer Science, 2008.
  3. Fabrication of GaAs Devices / Albert G. Baca and Carol I. H. Ashby / The Institution of Electrical Engineers. First edition, 2005.
  4. Герлах В. Тиристоры: Пер. с нем. / Герлах В. — М.: Энергоатомиздат, 1985. — 328 с. : ил. С. 82-88.
  5. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1. Пер. с англ. / Зи С. — 2-е перераб. и доп. изд. – М.: Мир, 1984. – 456 с.: ил.
    БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ GAAS ДИОДЫ ДЛЯ ИМПУЛЬСНОЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ТЕХНИКИ
    Written by: Сурайкин Александр Иванович
    Published by: БАСАРАНОВИЧ ЕКАТЕРИНА
    Date Published: 06/19/2017
    Edition: ЕВРАЗИЙСКИЙ СОЮЗ УЧЕНЫХ_ 30.12.2014_12(09)
    Available in: Ebook